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太赫茲發生器
TeraSense太赫茲發生器 (IMPATT 二極管)主要由 0.6 um transit region的雙硅漂移二極管制成,安裝在銅制散熱器內端。
雙硅漂移二極管: a heavily doped (p+)-region, a moderately doped pregion, a moderately doped n-region, and a heavily doped (n+)-region. The (p+) — and (n+) — 這些區域允許電氣連接到到外部電路. 設備依靠電路內產生的負電壓來產生和維持輸出信號。
Terasense現在提供升級版的太赫茲源。升級后的沖渡二極體配備防護隔離器,大大提高輸出功率的穩定性。新的太赫茲源波段可從 100GHz到 100 mW.
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技術參數
型號 |
THz source 100 GHz |
THz source 140 GHz |
THz source 180 GHz |
THz source 300 GHz |
參數 |
~ 80
mW output rfpower
|
~ 30
mW output rfpower
|
~ 10
mW output rfpower
|
~ 10
mW output rfpower
|
增強型穩定防護隔離; 典型的譜線寬帶可以縮小至1 MHz; 1 μs超快上升/下降TTL 調制; 號角天線和開孔法蘭可選; 外部電源適配器24 V,以確保穩定的安培數輸入; 2 W輸入功率; 1年質保; |
技術參數
型號 |
THz source 100 GHz |
THz source 140 GHz |
THz source 180 GHz |
THz source 300 GHz |
參數 |
~ 80 mW output rfpower
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~ 30 mW output rfpower
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~ 10 mW output rfpower
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~ 10 mW output rfpower
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增強型穩定防護隔離; 典型的譜線寬帶可以縮小至1 MHz; 1 μs超快上升/下降TTL 調制; 號角天線和開孔法蘭可選; 外部電源適配器24 V,以確保穩定的安培數輸入; 2 W輸入功率; 1年質保; |